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論文

Xenon diffusion behaviour in pyrolytic SiC

福田 幸朔; 岩本 多實

J.Mater.Sci., 11(4), p.522 - 528, 1976/04

熱分解SiC中に反跳によって$$^{1}$$$$^{3}$$$$^{3}$$Xeを注入し,等時昇温加熱および等温加熱をおこなって$$^{1}$$$$^{3}$$$$^{3}$$Xeの放出を測定した。等時昇温加熱中に放出されたXeは温度に対して三段階の挙動を示した。1200$$^{circ}$$C以下での放出,1200-1400$$^{circ}$$Cでの放出,1400$$^{circ}$$C以上での放出である。等温加熱では1144$$^{circ}$$Cから1753$$^{circ}$$Cまでの間で放出を測定し,拡散定数を求めた。拡散定数の温度依存性は,1400$$^{circ}$$Cを境にして二つの異った活性化エネルギーを与えた。これらの結果から,1400$$^{circ}$$C以上での放出は,空孔寄与によるXe拡散,1400-1200$$^{circ}$$Cの間では,多分,粒界寄与による拡散であると結論づけられた。1200$$^{circ}$$C以下での放出は,格子間拡散と欠陥によるXe捕獲-放出反応との結びつきを仮定して説明づけられた。

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